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表面分析
離子源系統(tǒng)
GCIB 40離子源系統(tǒng)


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產(chǎn)品分類
應(yīng)用技術(shù):
由于離子束和分子信號(hào)的丟失,有機(jī)樣品的SIMS分析通 常會(huì)導(dǎo)致碎片。使用GCIB,可以減少損傷,以便對(duì)材料進(jìn)行分析和深度剖面。
然而,在近束能量(<40 kV)下,GCIB的二次離子產(chǎn)額可能較低。在更高的能量下操作會(huì)產(chǎn)生更高的二次離子產(chǎn)率,同時(shí)仍然保持低損傷特性。
下圖顯示了在分析有機(jī)樣品時(shí),離子產(chǎn)額如何與束流能量成比例。盡管一次離子劑量保持不變,但來(lái)自Irganox 1010薄膜的二次離子信號(hào)從20kV到40kV一次束能量增加了五倍以上。 同時(shí),在所有的光束能量中,碎片幾乎保持不變。

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